FDA59N30

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描述

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MOSFET 300V,59A,56mΩ

  • RDS(on) = 56mΩ (最大值)@ VGS = 10V, ID = 29.5A
  • 低柵極電荷(典型值 77nC)
  • 低 Crss(典型值 80pF)
  • 100% 經過雪崩擊穿測試